Начална страницаMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
6,19 $
Преди отварянето на борсата:(0,00%)0,00
6,19 $
Затворено: 13.01, 0:30:46 ч. Гринуич-5 · USD · NASDAQ · Отказ от отговорност
Цена при затв. на предх. ден
6,38 $
Диапазон за деня
6,17 $ - 6,39 $
Диапазон за годината
4,89 $ - 9,39 $
Пазарна капитализация
136,01 млн. USD
Среден обем
118,51 хил.
Съотношение цена/печалба
90,05
Постъпления от дивиденти
-
Основна борса
NASDAQ
Пазарни новини
Финанси
Отчет за доходите
Приходи
Нетни доходи
| (USD) | 09.2024 г.info | Промяна всяка година |
|---|---|---|
Приходи | 12,09 млн. | -26,56% |
Оперативни разходи | 8,07 млн. | 1,60% |
Нетни доходи | 2,27 млн. | -6,85% |
Марж на нетната печалба | 18,78 | 26,81% |
Нетни приходи на акция | 0,17 | 1,39% |
Оперативна печалба | -1,71 млн. | -175,56% |
Ефективна данъчна ставка | 0,44% | — |
Счетоводен баланс
Общата сума на активите
Обща сума на задълженията
| (USD) | 09.2024 г.info | Промяна всяка година |
|---|---|---|
Пари и краткосроч. инвест. | 39,59 млн. | 13,32% |
Общата сума на активите | 72,60 млн. | 15,25% |
Обща сума на задълженията | 13,33 млн. | 5,45% |
Обща стойност на капитала | 59,27 млн. | — |
Акции в обращение | 21,97 млн. | — |
Съотношение цена/сч. ст-т | 2,35 | — |
Възвръщаемост на активите | -7,71% | — |
Възвръщаемост на капитала | -8,46% | — |
Паричен поток
Нетна промяна в паричните средства в брой
| (USD) | 09.2024 г.info | Промяна всяка година |
|---|---|---|
Нетни доходи | 2,27 млн. | -6,85% |
Пари в брой от операции | 2,84 млн. | -20,17% |
Пари в брой от инвестиране | -63,00 хил. | -270,59% |
Пари в брой от финансиране | 49,00 хил. | -91,34% |
Нетна промяна в паричните средства в брой | 2,82 млн. | -31,19% |
Свободен паричен поток | -768,88 хил. | -133,01% |
Информация
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Основаване
2008
Централен офис
Уебсайт
Служители
83
