DomůMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
6,19 $
Předburzovní cena:(0,00 %)0,00
6,19 $
Zavřeno: 13. 1., 0:30:46 GMT-5 · USD · NASDAQ · Prohlášení
Předchozí závěrečná cena
6,38 $
Rozsah během dne
6,17 $ - 6,39 $
Rozsah během roku
4,89 $ - 9,39 $
Tržní kapitalizace
136,01 mil. USD
Prům. objem
118,51 tis.
P/E poměr
90,05
Dividendový výnos
-
Primární burza
NASDAQ
Zprávy z trhů
Finance
Příjmová bilance
Tržby
Čisté příjmy
(USD) | září 2024info | Meziroční změna |
---|---|---|
Tržby | 12,09 mil. | -26,56 % |
Provozní náklady | 8,07 mil. | 1,60 % |
Čisté příjmy | 2,27 mil. | -6,85 % |
Čistá zisková marže | 18,78 | 26,81 % |
Výnos na akcii | 0,17 | 1,39 % |
EBITDA | -1,71 mil. | -175,56 % |
Efektivní daňová sazba | 0,44 % | — |
Výkaz bilance
Celkový počet zdrojů
Celkové závazky
(USD) | září 2024info | Meziroční změna |
---|---|---|
Hotovost a krátkodobé investice | 39,59 mil. | 13,32 % |
Celkový počet zdrojů | 72,60 mil. | 15,25 % |
Celkové závazky | 13,33 mil. | 5,45 % |
Celkový kapitál | 59,27 mil. | — |
Akcie v oběhu | 21,97 mil. | — |
Poměr ceny a účetní hodnoty | 2,35 | — |
Návratnost aktiv | -7,71 % | — |
Návratnost kapitálu | -8,46 % | — |
Peněžní tok
Čistá změna množství peněžních prostředků
(USD) | září 2024info | Meziroční změna |
---|---|---|
Čisté příjmy | 2,27 mil. | -6,85 % |
Provozní příjem | 2,84 mil. | -20,17 % |
Hotovost z investování | -63,00 tis. | -270,59 % |
Hotovost z financování | 49,00 tis. | -91,34 % |
Čistá změna množství peněžních prostředků | 2,82 mil. | -31,19 % |
Volný peněžní tok | -768,88 tis. | -133,01 % |
O
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Založeno
2008
Ústředí společnosti
Web
Zaměstnanci
83