StartMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
6,19 $
Førmarked:(0,00 %)0,00
6,19 $
Lukket: 13. jan., 00.30.46 GMT-5 · USD · NASDAQ · Ansvarsfraskrivelse
Seneste lukkekurs
6,38 $
Dagsinterval
6,17 $ - 6,39 $
Årsinterval
4,89 $ - 9,39 $
Markedsværdi
136,01 mio. USD
Gns. volumen
118,51 t
P/E-værdi
90,05
Udbytteprocent
-
Primær børs
NASDAQ
Markedsnyheder
Økonomi
Resultatopgørelse
Indtægt
Nettoindtægt
(USD) | sep. 2024info | År til år-ændring |
---|---|---|
Indtægt | 12,09 mio. | -26,56 % |
Driftsudgifter | 8,07 mio. | 1,60 % |
Nettoindtægt | 2,27 mio. | -6,85 % |
Overskudsgrad | 18,78 | 26,81 % |
Earnings per share | 0,17 | 1,39 % |
EBITDA | -1,71 mio. | -175,56 % |
Effektiv afgiftssats | 0,44 % | — |
Årsbalance
Samlede aktiver
Samlede passiver
(USD) | sep. 2024info | År til år-ændring |
---|---|---|
Kontanter og korttidsinvesteringer | 39,59 mio. | 13,32 % |
Samlede aktiver | 72,60 mio. | 15,25 % |
Samlede passiver | 13,33 mio. | 5,45 % |
Samlet egenkapital | 59,27 mio. | — |
Shares outstanding | 21,97 mio. | — |
Kurs/indre værdi | 2,35 | — |
Afkast af aktiver | -7,71 % | — |
Afkast af kapital | -8,46 % | — |
Pengestrøm
Nettoændring i likviditet
(USD) | sep. 2024info | År til år-ændring |
---|---|---|
Nettoindtægt | 2,27 mio. | -6,85 % |
Pengestrøm fra drift | 2,84 mio. | -20,17 % |
Pengestrøm fra investering | -63,00 t | -270,59 % |
Pengestrøm fra finansiering | 49,00 t | -91,34 % |
Nettoændring i likviditet | 2,82 mio. | -31,19 % |
Fri pengestrøm | -768,88 t | -133,01 % |
Om
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Grundlagt
2008
Hovedkvarter
Website
Ansatte
83