EtusivuMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
6,19 $
Ennen tavallista kaupankäyntiaikaa:(0,00 %)0,00
6,19 $
Sulkeutui: 13.1., 0.30.46 UTC-5 · USD · NASDAQ · Vastuuvapauslauseke
Viimeisin päätös
6,38 $
Päivän väli
6,17 $ - 6,39 $
Vuoden väli
4,89 $ - 9,39 $
Markkina-arvo
136,01 milj. USD
Keskim. volyymi
118,51 t.
P/E-luku
90,05
Osinkotuotto
-
Ensisijainen pörssi
NASDAQ
Pörssiuutiset
Taloustiedot
Tuloslaskelma
Tulot
Nettotulot
(USD) | syys 2024info | Vuosittainen muutos |
---|---|---|
Tulot | 12,09 milj. | −26,56 % |
Liikekustannukset | 8,07 milj. | 1,60 % |
Nettotulot | 2,27 milj. | −6,85 % |
Nettovoittomarginaali | 18,78 | 26,81 % |
Osakekohtaiset tulot | 0,17 | 1,39 % |
Käyttökate | −1,71 milj. | −175,56 % |
Todellinen veroprosentti | 0,44 % | — |
Tase
Varallisuus yhteensä
Velat yhteensä
(USD) | syys 2024info | Vuosittainen muutos |
---|---|---|
Käteinen ja lyhytaikaiset sijoitukset | 39,59 milj. | 13,32 % |
Varallisuus yhteensä | 72,60 milj. | 15,25 % |
Velat yhteensä | 13,33 milj. | 5,45 % |
Pääoma yhteensä | 59,27 milj. | — |
Kantaosakkeet | 21,97 milj. | — |
P/B-luku | 2,35 | — |
Kokonaispääoman tuotto | −7,71 % | — |
Pääoman tuotto | −8,46 % | — |
Kassavirta
Varojen nettomuutos
(USD) | syys 2024info | Vuosittainen muutos |
---|---|---|
Nettotulot | 2,27 milj. | −6,85 % |
Varat toiminnoista | 2,84 milj. | −20,17 % |
Käteinen sijoituksista | −63,00 t. | −270,59 % |
Käteinen rahoituksesta | 49,00 t. | −91,34 % |
Varojen nettomuutos | 2,82 milj. | −31,19 % |
Vapaa kassavirta | −768,88 t. | −133,01 % |
Tietoja
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Perustettu
2008
Päätoimisto
Sivusto
Henkilöstö
83