Faqja kryesoreMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
6,19 USD
Para hapjes:(0,00%)0,00
6,19 USD
Mbyllur: 13 jan, 12:30:46 e paradites, GMT-5 · USD · NASDAQ · Mohimi i përgjegjësisë
Mbyllja e fundit
6,38 USD
Diapazoni ditor
6,17 USD - 6,39 USD
Diapazoni vjetor
4,89 USD - 9,39 USD
Kapitalizimi i tregut
136,01 mln USD
Volumi mesatar
118,51 mijë
Raporti çmim/fitim
90,05
Të ardhurat e dividendit
-
Bursa kryesore
NASDAQ
Lajmet nga tregu
Financa
Deklarimi mbi të ardhurat
Të ardhurat
Të ardhurat neto
(USD) | sht 2024info | Ndryshimi nga V/V |
---|---|---|
Të ardhurat | 12,09 mln | -26,56% |
Kostoja operative | 8,07 mln | 1,60% |
Të ardhurat neto | 2,27 mln | -6,85% |
Marzhi i fitimit neto | 18,78 | 26,81% |
Fitimet për aksion | 0,17 | 1,39% |
EBITDA | -1,71 mln | -175,56% |
Norma efektive tatimore | 0,44% | — |
Bilanci
Aktivet në total
Pasivet në total
(USD) | sht 2024info | Ndryshimi nga V/V |
---|---|---|
Investime afatshkurtra dhe në para fizike | 39,59 mln | 13,32% |
Aktivet në total | 72,60 mln | 15,25% |
Pasivet në total | 13,33 mln | 5,45% |
Kapitali aksioner në total | 59,27 mln | — |
Numri i aksioneve të aksionerëve | 21,97 mln | — |
Çmimi për të rezervuar | 2,35 | — |
Kthimi nga aktivet | -7,71% | — |
Kthimi nga kapitali | -8,46% | — |
Fluksi i parave
Ndryshimi neto i parave në dorë
(USD) | sht 2024info | Ndryshimi nga V/V |
---|---|---|
Të ardhurat neto | 2,27 mln | -6,85% |
Paratë nga veprimtaritë | 2,84 mln | -20,17% |
Paratë nga investimi | -63,00 mijë | -270,59% |
Paratë nga financimi | 49,00 mijë | -91,34% |
Ndryshimi neto i parave në dorë | 2,82 mln | -31,19% |
Fluksi i lirë i parave | -768,88 mijë | -133,01% |
Informacione
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Themeluar
2008
Zyrat qendrore
Faqja në internet
Punonjësit
83