Trang chủMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
6,19 $
Trước giờ mở cửa:(0,00%)0,00
6,19 $
Đóng cửa: 13 thg 1, 00:30:46 GMT-5 · USD · NASDAQ · Tuyên bố từ chối trách nhiệm
Giá đóng cửa hôm trước
6,38 $
Mức chênh lệch một ngày
6,17 $ - 6,39 $
Phạm vi một năm
4,89 $ - 9,39 $
Giá trị vốn hóa thị trường
136,01 Tr USD
Số lượng trung bình
118,51 N
Tỷ số P/E
90,05
Tỷ lệ cổ tức
-
Sàn giao dịch chính
NASDAQ
Tin tức thị trường
Tài chính
Bảng báo cáo kết quả kinh doanh
Doanh thu
Thu nhập ròng
(USD) | thg 9 2024info | Thay đổi trong năm qua |
---|---|---|
Doanh thu | 12,09 Tr | -26,56% |
Chi phí hoạt động | 8,07 Tr | 1,60% |
Thu nhập ròng | 2,27 Tr | -6,85% |
Biên lợi nhuận ròng | 18,78 | 26,81% |
Thu nhập trên mỗi cổ phiếu | 0,17 | 1,39% |
Thu nhập trước lãi vay, thuế, khấu hao và khấu trừ dần | -1,71 Tr | -175,56% |
Thuế suất hiệu dụng | 0,44% | — |
Bảng cân đối kế toán
Tổng tài sản
Tổng nợ
(USD) | thg 9 2024info | Thay đổi trong năm qua |
---|---|---|
Tiền và khoản đầu tư ngắn hạn | 39,59 Tr | 13,32% |
Tổng tài sản | 72,60 Tr | 15,25% |
Tổng nợ | 13,33 Tr | 5,45% |
Tổng vốn chủ sở hữu | 59,27 Tr | — |
Số lượng cổ phiếu đang lưu hành | 21,97 Tr | — |
Giá so với giá trị sổ sách | 2,35 | — |
Tỷ suất lợi nhuận trên tài sản | -7,71% | — |
Tỷ suất lợi nhuận trên vốn | -8,46% | — |
Dòng tiền
Thay đổi ròng trong số dư tiền mặt
(USD) | thg 9 2024info | Thay đổi trong năm qua |
---|---|---|
Thu nhập ròng | 2,27 Tr | -6,85% |
Tiền từ việc kinh doanh | 2,84 Tr | -20,17% |
Tiền từ hoạt động đầu tư | -63,00 N | -270,59% |
Tiền từ hoạt động tài chính | 49,00 N | -91,34% |
Thay đổi ròng trong số dư tiền mặt | 2,82 Tr | -31,19% |
Dòng tiền tự do | -768,88 N | -133,01% |
Giới thiệu
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Ngày thành lập
2008
Trụ sở chính
Trang web
Nhân viên
83